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[新聞] 台DRAM廠第二家獲利者現身;華邦電Q2轉虧為盈不讓力晶專美於前

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發表於 2005-7-7 20:13:44 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
沉寂許久的華邦電(2344)近來再度獲得市場青睞,主要在於華邦電已確定第二季(Q2)將轉虧為盈,成為繼力晶(5346)後,台系DRAM晶圓廠中第二家獲利的業者。至於華邦電表現亮麗,係因其1T Pseudo SRAM近來接單相當不錯,使得華邦電得以在Q2 DRAM寒冬中安然渡過。

 近日來華邦電深受外資青睞,持股比重增至約10%,加碼動作積極,使其股價也頻向上攻堅。分析師指出,華邦電之所以獲得法人高度青睞,最主要原因在於手機用1T Pseudo SRAM接單持續暢旺,使其獲利快速增加,且預期下半年將更漸入佳境。

華邦電1T Pseudo SRAM於2005年Q1投片量僅約1.5萬片,但到Q2暴增至5萬片左右的水準,估計到Q3投片量將持續保有一定水位。另外,截至Q2底為止,華邦電在標準型DRAM顆粒佔總產出量大約35%,特殊型DRAM顆粒約佔25%,至於1T Pseudo SRAM比重則一舉超過標準型DRAM,佔總產出量約40%。

 市場分析師表示,目前估計到Q2華邦電在標準型DRAM顆粒部份毛利率,相較於Q1還會持續走跌,至於特定型DRAM顆粒則可望較Q1持平,唯有1T Pseudo SRAM毛利率仍高達30%以上。

 其中,1T Pseudo SRAM所採用製程為0.13及0.16微米製程技術各佔一半,這將使得華邦電在1T Pseudo SRAM成本上更進一步降低,這也是為何華邦電Q2可轉虧為盈的主因之一。

 至於Q3華邦電毛利率可望再一步拉高,除繼續維持一定比重的1T Pseudo SRAM產出外,華邦電進入Q3將開始採用0.11微米製程技術,大量替英飛凌(Infineon)代工標準型DRAM顆粒,如此一來也可讓華邦電在標準型DRAM製造成本上再降低許多,對整體毛利將有一定程度助益。

 因此,華邦電能夠在Q2表現突出,最主要便是其大量投產1T Pseudo SRAM,藉由這部份來穩住毛利,使其得以順利渡過Q2酷寒的DRAM產業寒冬。
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